1. 3A904. Systèmes et composants de refroidissement cryogénique, comme suit :
2. a. Systèmes conçus pour fournir une puissance de refroidissement supérieure ou égale à 600 μW à une température égale ou inférieure à 0,1 K (- 273,05 °C) durant plus de 48 heures ;
3. b. Cryoréfrigérateurs à tube pulsé à deux étages conçus pour maintenir une température inférieure à 4 K (- 269,15 °C) et fournir une puissance de refroidissement supérieure ou égale à 1,5 W à une température de 4,2 K (- 268,95 °C) ou inférieure.
4. 3B901.k. Equipements conçus pour la gravure sèche ayant toutes les caractéristiques suivantes :
5. 1. Equipements conçus ou modifiés pour la gravure sèche isotropique, ayant une ‘sélectivité de gravure de silicium-germanium à silicium (SiGe:Si)' supérieure ou égale à 100:1 ; ou
6. 2. Equipements conçus ou modifiés pour la gravure sèche anisotropique, présentant toutes les caractéristiques suivantes :
7. a. Ayant une source d'énergie radiofréquence présentant au moins une sortie radiofréquence pulsée ;
8. b. Ayant une ou plusieurs vannes à commutation de gaz rapides ayant un temps de commutation de moins de 300 millisecondes ; et
9. c. Ayant un mandrin électrostatique comportant au moins vingt éléments à température variable contrôlables.
10. Note 1. - L'alinéa 3B901.k comprend la gravure par ‘radicaux', ions, réactions séquentielles ou non séquentielles.
11. Note 2. - L'alinéa 3B901.k.2 comprend la gravure à l'aide de plasma excité par impulsions RF, de plasma excité par cycle pulsé, de plasma modifié avec tension pulsée sur les électrodes, d'injection et purge cyclique de gaz combinés avec un plasma, de gravure de couche atomique sur plasma ou de gravure de couche quasi-atomique sur plasma.
12. Notes techniques :
13. 1. Aux fins de l'alinéa 3B901.k, la ‘sélectivité de gravure de silicium-germanium à silicium (SiGe : Si)' est mesurée pour une concentration de Ge supérieure ou égale à 30 % (Si0,70Ge0,30).
14. 2. Aux fins de l'alinéa 3B901.k, un ‘radical' est défini comme un atome, une molécule ou un ion qui possède un électron non apparié dans une configuration de couche d'électrons ouverte.