(16) Les parties à l'opération de concentration vendent également des gaz dits spéciaux, qui comprennent essentiellement les gaz réfrigérants, les gaz électroniques et les gaz d'éclairage. Les gaz spéciaux contiennent diverses molécules chimiques dont l'industrie électronique a besoin pour fabriquer des semi-conducteurs et qui sont utilisées à différents stades du procédé de fabrication (gaz spéciaux destinés à l'industrie électronique): par exemple, le silane (SiH4) sert à déposer une couche de silicium pur sur la surface de la tranche, l'arsine (ASH3) et la phosphine (PH3) sont utilisés pour le dopage (ajout de dopants sur la surface de la tranche en vue de modifier les propriétés du semi-conducteur), le trifluorure d'azote (NF3), l'hexafluoroéthane (C2F6) et le tétrafluorure de carbone (CF4) pour le corrodage (afin d'enlever les matériaux de la surface de la tranche pour créer le circuit intégré), l'hexafluorure de tungstène (WF6) pour le dépôt de métal et l'hexafluoroéthane et le trifluorure d'azote comme agents nettoyants.
Décision 2004/269/CE · Article
Article considérant 16
Article en vigueur.
Considérant de l'acte d'origine (JO, acte du 18/01/2000) : les consolidations ne reprennent pas les considérants. Texte ancien découpé automatiquement en articles : vérifier les limites de l'article sur EUR-Lex.
TexteDécision 2004/269/CE
RattachementDécision 2004/269/CE
Versionacte d'origine du 18/01/2000 (CELEX 32004D0269)
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