Le droit compensateur sur les importations de certains circuits électroniques intégrés dits «DRAM» (dynamic random access memories — mémoires dynamiques à accès aléatoire) fabriqués à l'aide de variantes du procédé métal-oxyde-semiconducteur (MOS), y compris certains types de MOS complémentaire (CMOS), de tous types, densités et variantes, quels que soient leur vitesse d'accès, leur configuration, leur mode de conditionnement ou leur support, etc., originaires de la République de Corée, institué par le règlement (CE) no 1480/2003 est supprimé à compter du 31 décembre 2007, et la procédure est close.
Règlement (CE) n° 320/2008 · Article
Article 1
Article en vigueur.
Version d'origine : acte du 07/04/2008 tel que publié au JO de l'Union ; aucune consolidation en français. Si l'acte a été modifié depuis, ce texte n'en tient pas compte : vérifier sur EUR-Lex.
TexteRèglement (CE) n° 320/2008
RattachementRèglement (CE) n° 320/2008
VersionVersion d'origine (CELEX 32008R0320)
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